Super snel phase-change geheugen in ontwikkeling

9 reacties

Op de vraag welke technologie de opvolger wordt van het populaire flashgeheugen, zou het phase-change geheugen wel eens een goed antwoord kunnen blijken te zijn.

Onderzoekers aan de Universiteit van Pennsylvania claimen dat geheugenmodules op basis van een nieuwe variant van de phase-change geheugentechnologie, ongeveer 1000 maal sneller zullen zijn dan een huidige, gemiddelde flashgeheugenmodule - waarbij tegelijkertijd zeer weinig energie wordt verbruikt - ongeveer 0,7 mW per bit. Een ander voordeel daarbij is dat de data minstens 100.000 jaar wordt vastgehouden op de geheugenmodule.

Anders dan de huidige silicon fabricagetechnieken die gebaseerd zijn op lithografie, zijn nano-draden - die circa 100 atomen in doorsnee zijn - zelf-ordenend, een proces waarbij chemische reactanten kristalliseren bij lagere temperaturen onder invloed van metalen katalysators op nano-schaal, zodat spontaan nano-draden vormen. Deze nano-draden van 30-50 nanometer vormen feitelijk het phase-changing materiaal, wat betekent dat ze kunnen schakelen tussen amorfe en kristallijne structuren, en dat is de sleutel tot read/write computer geheugen.

Er zijn verschillende potentiële opvolgers voor het flashgeheugen waarvan de meeste één groot nadeel hebben: capaciteit. De phase-change technologie op basis van nanodraden heeft echter, volgens assistent-professor Argawal, 'de potentie om tot Terabit-level door te schalen.'

Ren nog niet direct naar de winkel voor deze modules - commerciële producten worden pas verwacht over acht tot tien jaar.

Bronnen: TG Daily, University of Pennsylvania

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*