[IDF07] Phase Change Memory volgt DRAM op

0 reacties

Tijdens de keynote van de tweede dag van het Intel Developer Forum heeft Intel gesproken over een nieuwe type geheugen; Phase Change Memory of kort PCM. Dit nieuw type geheugen moet het beste van twee werelden combineren. Net als flash geheugen houdt het data vast wanneer er geen stroom aanwezig is (tot meer dan 10 jaar!), maar qua snelheid komt het nieuwe geheugen eerder in de buurt van DRAM chips. PCM zal in eerste instantie ingezet worden als vervanger voor flash, waarbij er twee voordelen ontstaan: PCM kan meer dan een miljoen write cycles verdragen en is tot op de bit nauwkeurig adresseerbaar. Flash geheugen heeft in de regel een levensduur van tussen de 100.000 en 500.000 write-cycles en is alleen per geheugnpagina aan te sturen.

idf07img_0547_550 

Intel heeft als proof of concept een 128 Mbit PCM-chip ontwikkeld. Codenaam van deze geheugenchip is Alverstone.  Men ziet vooral mogelijkheden op het vlak van solid state disks. Deze kunnen dankzij het nieuwe geheugen op alle vlakken sneller worden dan conventionele harddisks, terwijl het stroomverbruik vele malen lager is. Dat laatste is van belang bij steeds kleiner wordende PC's, zoals bijvoorbeeld de UMPC's waar we gisteren over schreven.

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*