Nieuw soort transistors van IBM en Samsung vormt sleutel tot sub-1nm-chips

20 reacties

IBM en Samsung hebben een nieuw soort transistor ontwikkeld die naar eigen zeggen de sleutel moet vormen voor productieprocessen die kleiner zijn dan 1 nanometer. Dat schrijft Engadget, die de IEDM-conferentie in San Fransisco heeft bijgewoond.

Gisteren hebben de twee chipbedrijven hier aangekondigd dat vertical transport field effect transistors (vtfet) de toekomst zijn. In plaats van dat de transistor horizontaal in de chip ligt loopt de stroom verticaal, wat grote besparingen in chipoppervlak moet opleveren. Wat de exacte 'formaten' van een verticale transistor qua waferoppervlakte zullen zijn wordt niet genoemd, maar wel wordt genoemd dat ze twee keer zo snel zullen zijn en 85% minder verbruiken ten opzichte van finfet-transistors. Met welk finfet-productieproces er wordt vergeleken is echter ook niet duidelijk.

Concreet moet de techniek telefoons mogelijk maken die een week met één acculading mee moeten kunnen. Wanneer de productie van de eerste chips met vtfet op de planning staat is ook nog niet bekend.

Bron: Engadget

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*