IBM maakt 's werelds eerste 2nm-chip: hoogste transistordichtheid door GAAFET

5 reacties

IBM heeft onthuld dat het de eerste 2nm-chip heeft geproduceerd. Het is niet duidelijk om wat voor chip het precies gaat, en het lijkt vooralsnog niet meer te zijn dan een proof of concept. De chipontwerper claimt de hoogste transistordichtheid op de markt te bieden.

Een 2nm-chip van het bedrijf moeten zo'n 50 miljard transistoren op een oppervlakte een vingernagel passen. Wat de dichtheid precies is verklaart IBM niet in het persbericht, maar tegenover Anandtech verklaarde het dat het gaat om 50 miljard transistoren per 150 vierkante millimeter. Dat komt neer op een dichtheid van 333,33 miljoen transistoren per vierkante millimeter. Ter vergelijking; de dichtheid van TSMC's 3nm-node is zo'n 292,21 miljoen transistoren per mm2. Vermoedelijk zal de nieuwe chip niet veel meer zijn dan een niet al te complex testontwerp.

Uit IBM's afbeeldingen kan geconcludeerd worden dat de node gebruikmaakt van gate-all-around-transistoren (gaafet), met elk drie nanosheets. Elke drie sheets hebben een hoogte van 75 nanometer en een breedte van 40 nm. Elke individuele sheet heeft een hoogte van 5 nm en bevindt zich op een afstand van 5 nm ten opzichte van de andere sheets. Het productieprocedé moet vergeleken met de 'meest geavanceerde 7nm-nodes' 45% beter presteren (lees: hogere kloksnelheden) of 75% minder verbruiken.

IBM heeft weliswaar zijn eigen fabrieken verkocht aan het Amerikaanse GlobalFoundries. In plaats zelf te produceren heeft het productiecontracten met dergelijke foundries, maar er wordt niet verklaard bij welk bedrijf de chips zijn geproduceerd.

Bronnen: IBM, Anandtech, Science

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*