Samsung werkt aan een 512 GB ddr5 dram-module, zo kondigt de Zuid-Koreaanse fabrikant in een blogpost aan. Naar eigen zeggen is het 's werelds eerste geheugenmodule met zoveel capaciteit, alsmede de eerste in het ddr5-standaard. Door middel van through-silicon via-technologie (tsv) en het high-k metal gate-proces (hkmg) weet Samsung de hoge capaciteit waar te maken.
Tsv beschrijft het verticaal op elkaar stapelen van silicon dies of wafers waardoor er een 3D-opbergsysteem ontstaat. Dat maakt de verbindingen tussen individuele modules korter, aangezien de dichtheid hoger is. Die technologie in combinatie met het high-k metal gate-isolatieproces maakt het volgens Samsung mogelijk om de 512 GB ddr geheugenmodule te ontwikkelen.
Bij het hkmg-proces worden dunnere laagjes isolatiemateriaal aangebracht om het lekken van elektriciteit te voorkomen en ruimte te besparen. In 2018 paste het bedrijf de hkmg-insteek toe bij de ontwikkeling van gddr6-geheugen (ram voor grafische kaarten). Het was voor het eerst dat hkmg werd gebruikt voor geheugen; voorheen was werd de techniek voornamelijk bij de productie van processoren gebruikt.
Foto via Samsung
Uiteindelijk moet de energieconsumptie van de geheugenmodule met 13% verminder worden, terwijl de prestatie ten opzichte van ddr4-technologie verdubbelt naar 7.200 Mbps. De 512 GB geheugenmodule is, in elk geval voorlopig, overigens niet bedoeld om de nieuwste Call of Duty mee te spelen.
Samsung legt uit dat de technologie in staat is om "extreme, rekenkracht-hongerige opdrachten met hoge bandbreedte-eisen te volbrengen." De fabrikant noemt als voorbeeld servermodules, kunstmatige intelligentie, machine learning en de analyse van grote hoeveelheden data. Het is nog niet bekend wanneer Samsung de nieuwe dram-modules wil uitbrengen. Eind vorig jaar werd wel voorspeld dat het overgangsjaar van ddr4 naar ddr5 pas in 2022 zal plaatsvinden.
