Samsung ontwikkelt high-speed 128Mb DDR SDRAM

2 reacties

Samsung Electronics heeft aangekondigt 300MHz 128Mb (4Mbx32) Double Data Rate synchronous DRAM (DDR SDRAM) te gana ontwikkelen. De nieuwe chip is met name bedoeld voor de snellere videokaarten, maar kan ook prima gebruikt worden als L3-chache in bv. servers. De chip is pin-compatible met de eerder aangekondigde 64Mb (4Mb x 16) chip. De chip draait op 2.5 V en heeft een 1.8 V input/output optie om het energieverbruik te verminderen.

Samsung is van plan het product in het derde kwartaal van dit jaar op de markt te brengen.

Bron: Samsung

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*