Micron heeft zuiniger DRAM met 40% hogere dichtheid gereed

1 reactie

Micron heeft aangekondigd dat het zijn 1α-node voor dram gereed heeft voor massaproductie. De techniek moet na de 1x-, 1y- en 1z-nodes het vierde productieproces onder de 20 nanometer vormen en moet iets groter zijn dan 10 nanometer.

1-alpha biedt ten opzichte van Microns 1z-productieprocedé een 40% hogere celdichtheid. Daarnaast moet een lpddr5-chip zo'n 15% zuiniger zijn dan een vergelijkbare chip op de 1z-node. Er wordt nog geen gebruikgemaakt van extreme ultraviolet (euv), dat moet pas rond 2023 gereed zijn. De geheugencapaciteiten per chip lijken niet te zijn toegenomen; deze liggen nog steeds op 8 of 16 gigabit en dus op 1 of 2 gigabyte.

De geheugenfabrikant is van plan om het proces in de loop van dit jaar te integreren in al zijn producten, van dram voor mobiele apparaten tot en met chips voor slimme voertuigen. Het bedrijf is ook begonnen met het samplen van lpddr4 voor mobiele apparaten. Naast het 1α-proces zou er ook gewerkt worden aan de 1β-, 1γ- en 1δ-nodes. Die zullen vermoedelijk kleiner zijn dan 10 nanometer. Daarnaast zegt het de eerste 3D-nand-chips met 176 lagen te verschepen, hoewel hier verder niets over wordt vermeld.

Bron: Micron

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*