Digitimes: zowel Samsung als TSMC heeft moeilijkheden met 3nm-proces

19 reacties

Onlangs schreef een Taiwanese zakenkrant dat Apple zichzelf nu al aan het verzekeren zou zijn van 3nm-productiecapaciteit bij TSMC. Er zouden goede resultaten geboekt worden met de eerste experimentele productiebatches, maar nu zegt de marktanalist Digitimes dat zowel TSMC als Samsung juist moeite hebben met de vooruitgang.

Het Apple-nieuws is van nog geen week geleden, het is dus opvallend dat er nu al nieuws is over een stand van zaken die exact het tegenovergestelde beeld tekent. Het is niet duidelijk welk van beide bronnen het bij het rechte eind heeft. 

Samsung probeert met 3 nanometer al een proces met gaafet-transistors (gate-all-around fetin massaproductie te krijgen. Dit zou in principe de problemen kunnen veroorzaken, aangezien dit soort transistors erg moeilijk zijn om te fabriceren. De zogenaamde gaa's heten ook wel 'nanowires'. Samsung heeft met 'nanosheets' een tussenstap voor nanowires bedacht. Nanosheets noemt Samsung ook wel 'multi bridge channel fets'. Ze gebruiken halfgeleiders die ook volledig zijn omringd door de gate, maar ze zijn breder. De breedte is flexibel, en er kunnen meerdere transistors op elkaar worden gestapeld.

Bronnen: Digitimes (1), (2)

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*