TSMC gebruikt 'gate-all-around'-transistors voor 2N-node

1 reactie

De eerste chips die met het 5N-proces zijn geproduceerd moeten nog in producten in de winkel verschijnen, maar we blikken alvast vooruit naar TSMC's toekomstige 2N-node. Vanaf de 2N-node zou TSMC volgens Digitimes overstappen van de momenteel gangbare finfet-transistors naar zogeheten gaafet-transistors, waarvan nanowires een variant zijn.


De gate gaat bij gaafet en mbcfet om de 'fins' heen

De andere grote spelers op de chipproductie-markt, Samsung en intel, hebben ook al aangegeven gaafet in te gaan zetten. Samsung gaat dit in de vorm van mbcfet-transistors inzetten voor hun 3N-proces, met een verwachte mogelijkheid tot massaproductie in 2022. Mike Mayberry, topman bij Intel, heeft in een gesprek met Anandtech aangegeven "binnen de komende vijf jaar" gaafet-transistors in massa te kunnen produceren.

Uiteindelijk zal het blijven gebruiken van finfet-transistors voor onoverkomelijke uitdagingen zorgen. Bij de huidige finfet-transistors levert verdere verkleining teveel lekstroom op. De gate omsluit de channel van de finfet-transistor aan drie kanten. Volledige omsluiting van de channel, zoals bij gaafet het geval is, lost het lekstroom probleem op. Het nadeel van gaafet-transistors is dat deze complexer zijn om te produceren.

Het 3N-proces zou eind 2022 flink op stoom moeten zijn. Bronnen uit de industrie zouden Digitimes hebben ingefluisterd dat TSMC voor het 2N-proces voorloopt op hun eigen schema. Volgens de website Gizchina zou het 2N-proces eind 2023 opgestart worden.

Bron: Digitimes

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*