Rambus weet HBM2E-geheugen tot 4,0 Gb/s te brengen

9 reacties

Rambus heeft aangekondigd dat het de snelheidsgrens voor hbm2e heeft weten te verhogen. Het nieuwe record ligt nu op 4,0 Gb/s per pin.

SK Hynix maakte een jaar geleden bekend dat het een snelheid van 3,6 gigabit per seconde per pin wist te bereiken, terwijl het afgelopen juli is begonnen met de massaproductie van dit geheugen. Samen met SK Hynix en het Taiwanese Alchip heeft Rambus de grens verder weten te verhogen.

De hoge snelheden zijn volgens de verkoper van chipontwerpen behaald op TSMC's 7nm-node (N7, klaarblijkelijk zonder euv), door deze te combineren met de CoWoS-interconnect dat ook van TSMC is. Het verhogen van het voltage van de hbm-chips zou niet nodig zijn, wat betekent dat de doorvoersnelheid hoger is geworden terwijl het stroomverbruik praktisch gelijk moet zijn gebleven. Het productieproces is echter hetzelfde gebleven, wat indiceert dat het uitsluitend moet gaan om verbeteringen van het chipontwerp.

Wat de bandbreedte per stack voor dit geheugen op 4,0 Gb/s is, is niet bekend. Rambus schrijft dat het verhogen van de snelheid is bedoeld om fabrikanten het geheugen op 3,6 Gb/s genoeg marge te geven, zodat de snelheid gegarandeerd kan worden. Rambus verwacht dat er een grote vraag zal zijn naar het snellere geheugen, doordat producten voor artificial intelligence en high performance computing steeds belangrijker worden en de vraag hiernaar stijgt.

Bron: Rambus

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*