Micron werkt aan 'HBMnext' als opvolger voor HBM2e

10 reacties

Afgelopen vrijdag bleek Micron te werken aan gddr6x-geheugen, dat onder andere terecht moet komen in een RTX 3090 van Nvidia. In hetzelfde document en bijbehorend persbericht blijkt te staan dat er ook een opvolger voor hbm2e ontwikkeld wordt, dat de geheugenmaker 'hbmnext' heeft gedoopt.

Inmiddels is het persbericht verwijderd, maar de link naar het pdf-document werkt nog. Hbmnext moet sneller zijn dan hbm2e, maar het is nog niet bekend of het simpelweg de nieuwe naam van hbm3 is of dat het eerder een verbeterde versie van hbm2e.

Het snelste hbm2e komt momenteel van SK Hynix, dat een flinke data rate van 3,6 Gb/s heeft voor een bandbreedte per stack van 460 GB/s. Samsungs Flashbolt-variant heeft dezelfde capaciteit van 16 GB en gaat tot 3,2 gigabit per seconde, voor een bandbreedte per stapel chips van 410 gigabyte per seconde.

Volgens een artikel van Ars Technica uit 2016 moet hbm3 met name goedkoper te produceren zijn, hoewel het niet duidelijk is wat er van de snelheden wordt verwacht. Micron schrijft dat het mikt op het einde van 2022 voor de introductie van hbmnext, en vóór die tijd zullen we meer van de samenwerking met regulatie-instelling JEDEC horen omtrent het geheugen. De chipfabrikant zegt ook dat er wordt nagedacht over de opvolger van gddr6, hoewel het ook constateert dat dit geheugen nog erg jong is en dus vermoedelijk nog een lange levensduur heeft.


  SK Hynix HBM2 SK Hynix HBM2E Samsung HBM2E (Flashbolt)
Capaciteit per stack 8 GB 16 GB 16 GB
Bandbreedte per pin 2,4 Gbit/s 3,6 Gbit/s 3,2 Gbit/s
Bandbreedte per stack 370 GB/s 460 GB/s 410 GB/s

Bronnen: Micron (PDF), (verwijderd persbericht)

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*