Optane-concurrentie: bedrijf maakt hoger aantal lagen mogelijk voor 3D XPoint-type geheugen

2 reacties

In 2015 brachten Intel en Micron het nieuws dat ze samen een nieuw soort geheugen genaamd '3D XPoint' hadden ontwikkeld, dat het gat tussen dram en nand-geheugen op moet kunnen vangen. Een nadeel van de technologie is dat het nog altijd erg duur is, en dat Micron nog maar erg weinig XPoint-producten heeft geïntroduceerd. Een groot deel van de producten komt dus bij Intel vandaan, maar een nieuw bedrijf met een vergelijkbare techniek kan wel eens voor meer concurrentie gaan zorgen.

Een Amerikaans bedrijf genaamd Intermolecular claimt namelijk een XPoint-achtig ontwerp te hebben dat gebruikmaakt van een materiaal dat het het quaternary atomic layer deposition (quaternary ald) noemt. De verticale geheugencellen maken gebruik van een legering op basis van GeAsSeTe (germanium, arseen, selenium en telluur). Deze techniek moet het mogelijk maken om ook een groot aantal (tientallen, volgens EE Times) lagen op elkaar te stapelen. Aan de hand van through silicon via's worden de verschillende lagen verbonden. Hierdoor moet de barrière van het beperkt aantal mogelijke lagen (en dus de datadichtheid en het kostenplaatje) verdwijnen. Voor toepassingen zoals kunstmatige intelligentie en neuromorfisch computing waarbij erg snel geheugen enorm nuttig is wordt daardoor meer mogelijk.

Intermolecular is niet de eerste die een ald-techniek probeert te ontwikkelen, meerdere universiteiten en andere onderzoeksinstituten hebben hetzelfde geprobeerd. Geen van deze partijen was in staat om vergelijkbare of betere prestaties wat lekstroom en levensduur betreft te verkrijgen dan bij het gebruik van pvd (physical vapor deposition). De nieuwe speler is dit wel gelukt.

Het doel is om intellectueel eigendom te ontwikkelen dat Intel en Micron nog niet hebben, zodat de technologie ook gebruikt kan worden in producten van andere partijen. Momenteel zijn de twee concurrenten namelijk de enigen die Optane-achtig geheugen op significante schaal produceren. Andere partijen zoals Samsung en Kioxia zijn er echter ook met dergelijke techniek bezig. In de toekomst kunnen we dus van meer fabrikanten dergelijk non-volatiel geheugen verwachten. XPoint-producten voor het dimm-formaat zouden het meest praktisch zijn, omdat het de behoefte aan grote hoeveelheden prijzig dram vermindert.

Bron: EE Times

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*