Samsung start massaproductie 512 GB eUFS 3.1 geheugen voor gebruik in vlaggenschip smartphones

8 reacties

Samsung start met de massaproductie van zijn eerste 512 GB eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 mobiel geheugen voor gebruik in toplijn smartphones. Het nieuwe eUFS 3.1 geheugen is volgens de fabrikant drie keer sneller dan de eUFS 3.0 voorganger.

Met een sequentiële schrijfsnelheid van meer dan 1.200 MB/s moet het nieuwe geheugen over meer dan tweemaal de snelheid van een op SATA-gebaseerde PC (540 MB/s) en meer dan tien keer de snelheid van UHS-I microSD-kaarten (90 MB/s) kunnen beschikken. Smartphones met het nieuwe eUFS 3.1 geheugen vereisen volgens Samsung anderhalve minuut voor het overzetten van 100 GB aan data, tegenover meer dan vier minuten voor smartphones met eUFS 3.0.

Ook in randomprestaties moet het eUFS 3.1 geheugen data tot 60% sneller zijn dan het gebruikelijke UFS 3.0. Samsung claimt daarbij snelheden van 100.000 input/output per seconde (IOPS) voor lezen en 70.000 IOPS voor schrijven.

Naast de optie voor 512 GB komen later dit jaar ook 256 GB en 128 GB versies beschikbaar.

Bron: Samsung

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*