Philips patenteert zelfvernietigend geheugen

8 reacties

Magnetic Random Access Memory (MRAM) is ontwikkeld door Honeywell en Motorola als opvolger van flash geheugen. Nu heeft Philips plannen om het hacker-bestendig te maken.

In tegenstelling tot de huidige RAM types wordt er geen elektriciteit gebruikt om de data op te slaan, maar magnetische elementen. Deze elementen worden opgebouwd uit twee ijzerhoudende magnetische plaatjes die elk een magnetisch veld kunnen genereren met daartussen een isolerende laag. Eén van de twee platen is een permanente magneet met een bepaalde polariteit, de andere kan veranderen door een extern magnetisch veld. Een geheugenmodule is opgebouwd uit deze cellen. Elke cel kan dus geschreven worden met behulp van magnetisme, waarna er bij het uitlezen aan de hand van de polariteit de waarde bepaald kan worden. Als beide platen gelijk in polariteit zijn is de waarde 0, als ze verschillend zijn is het 1.

Het grote voordeel is dat MRAM zijn waarde niet verliest als de stroom uitgezet wordt. Maar dit introduceert ook een probleem bij beveiligde of gevoelige informatie. Als een chip namelijk opengemaakt wordt kan de inhoud vrij eenvoudig uitgelezen worden. Philips heeft daar een oplossing voor bedacht: de hele chip wordt bedekt met een dun metalen laagje met daarover nog een magnetisch laagje. Het metalen laagje beschermt dan de geheugencellen van de magnetische laag, maar zodra iemand fysiek toegang tot de chips wil en de metalen laag doorbroken wordt zorgt de buitenste magneet ervoor dat alle cellen gereset worden.

Philips heeft momenteel een patent hierop aangevraagd, het is nog niet bekend wanneer we producten met deze technologie op de markt mogen verwachten. Dit geldt overigens ook voor de MRAM modules, die nog slechts mondjesmaat geproduceerd worden, vooral door marketingtechnische problemen waarbij veel producenten liever het meer winstgevende en op het moment nog grotere flash geheugen willen produceren.


Bron: Digit-Life

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*