Samsung's HBM2e is 33% sneller met 410 GB/s per stack

Door , bron: Business Wire


Naast nieuw ddr4-geheugen heeft Samsung deze week ook sneller hbm2-geheugen aangekondigd. De hbm2e-chips hebben een dubbele capaciteit en bieden 33% meer bandbreedte per stack. 

Onder codenaam Flashbolt is de capaciteit van de hbm2e-die verdubbelt naar 16 gigabit. Acht lagen hoog gestapeld resulteert dit in een package van 16 GB, het dubbele van de vorige generatie. Het geheugen is nu 33% sneller en biedt 3,2 Gb/s per pin, goed voor 409,6 GB/s per stack.

De aankondiging vond plaats op Nvidia’s GPU Technology Conference, wat duidt op dat het geheugen als eerst met een gpu van het groene kamp gebruikt gaat worden. Nvidia heeft nog geen opvolger van de GV100-gpu aangekondigd, maar dat zou een kandidaat kunnen zijn om 4 stacks van dit geheugen mee te krijgen, goed voor 64GB met 1,64 TB/s bandbreedte.

Samsung's HBM2 Flashbolt Aquabolt Flarebolt
Total Capacity 16 GB 8 GB 8 GB 4 GB 8 GB 4 GB
Bandwidth Per Pin 3.2 Gb/s 2.4 Gb/s 2 Gb/s 2 Gb/s 1.6 Gb/s 1.6 Gb/s
Number of DRAM ICs per Stack 8 8 8 4 8 4
DRAM IC Process Technology ? 20 nm
Effective Bus Width 1024-bit
Voltage ? 1.2 V 1.35 V 1.2 V
Bandwidth per Stack 409.6 GB/s 307.2 GB/s 256 GB/s 204.8 GB/s

Tabel: AnandTech


Vandaag in het nieuws

*