Intel demonstreert werkende chip op 45nm

5 reacties

Intel heeft een mijlpaal bereikt in de ontwikkeling van 45 nanometer (nm) chiptechnologie. Intel heeft de eerste volledig functionele (voor zover bekend) SRAM (Static Random Access Memory) chips geproduceerd volgens het 45nm procédé, het volgende generatie procédé voor de massaproductie van halfgeleiderproducten.

Met het bereiken van deze mijlpaal ligt Intel goed op koers om in 2007 te starten met de productie van 45nm-chips op basis van 300mm wafers. Het bedrijf blijft hiermee tevens de Wet van Moore volgen, door iedere twee jaar een nieuw procédé te introduceren.

Met het 45nm procédé van Intel kunnen chips gemaakt worden die ruim vijf maal minder stroomlekkage vertonen dan de huidige chips. Dit betekent bijvoorbeeld dat mobiele apparaten langer werken op een batterij en dat er kleinere, krachtigere platforms ontwikkeld kunnen worden.

De 45nm SRAM-chip van Intel telt ruim 1 miljard transistors. Hoewel deze chip niet bedoeld is om er een daadwerkelijk Intel-product van te maken, demonstreert deze SRAM-chip de technologische prestaties, de opbrengst van het productieprocédé en de betrouwbaarheid van de chip. Dit alles is nodig voordat begonnen kan worden met het daadwerkelijk starten van de productie van processors en andere chips op basis van het 45nm procédé. Het is de eerste stap op weg naar de massaproductie van 's werelds meest complexe apparaten.

Naast de productiemogelijkheden van Intel's D1D-faciliteit in Oregon, waar de 45nm technologie wordt ontwikkeld, heeft het bedrijf aangekondigd dat er momenteel nog twee hoog-volume fabrieken in aanbouw zijn, waar chips geproduceerd zullen worden volgens het 45nm procédé: Fab 32 in Arizona en Fab 28 in Israël.

Bron: Intel persbericht

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*