CES: Samsung start productie 2,4 Gb/s HBM2-geheugen

19 reacties

Samsung heeft vandaag aangekondigd dat het de productie van sneller hbm2-geheugen start. Het nieuwe geheugen biedt 2,4 Gb/s aan bandbreedte per pin en daarmee 307,2 GB/s per chip, hoger dan de concurrentie tot nu toe. Daarmee moet het high bandwidth memory het traditionele gddr5x en gddr6 voor blijven qua bandbreedte.

In eerste instantie zal Samsung chips van 8 gigabyte gaan produceren, maar later krijgen de 4GB-chips mogelijk ook de upgrade in snelheid. Het 2,4Gb/s-geheugen is 50% sneller dan het tot nu toe veel gebruikte 1,6Gb/s-geheugen, maar Samsung kondigde afgelopen jaar in juli al aan hbm2-chips met 2,0 Gb/s aan bandbreedte te gaan produceren.

Het hbm2-geheugen wat op dit moment in apparaten zit haalt niet meer dan 2 Gb/s per pin. Intel's nieuwe Kaby Lake-G-processoren met RX Vega M-graphics maken gebruik van 1,4 en 1,6 Gb/s geheugen, terwijl Nvidia's Titan V en Tesla V100 op respectievelijk 1,7 en 1,75 Gb/s draaien. AMD's RX Vega 64 heeft de hoogste snelheid per pin met 1,9 Gb/s.

De nieuwe 8GB-hbm2-chips moeten in de eerste helft van 2019 meer dan de helft van Samsung's hbm2-productie verzorgen.

Bus 1024-bit 2048-bit 3072-bit 4096-bit 
Bandbreedte 307,2 GB/s 614,4 GB/s 921,6 GB/s 1228,8 GB/s

Bandbreedte met het 2,4Gb/s-hbm2-geheugen

Bron: Samsung

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*