Onderzoekers produceren 3D ReRAM

8 reacties

ReRAM, voluit resistive random-access memory, is al zeer lange tijd in ontwikkeling. De geheugensoort wordt al jaren aangedragen als de vervanger van een groot aantal huidige geheugentypen, zoals DRAM en NAND. ReRAM is namelijk een niet-vluchtig geheugen, wat dus geen stroom nodig heeft om data te bewaren. Tegelijkertijd biedt het wel de dichtheid van NAND en de snelheid van DRAM, wat dus een zeer aantrekkelijke combinatie van eigenschappen is. Met ReRAM zou je dus een aparaten kunnen creëren waar geen apart werk- en opslaggeheugen meer in zit, maar enkel ReRAM.

Tot nu toe is het het NAND-geheugen echter gelukt om ReRAM voor te blijven op gebied van dichtheid en kosten. Het de transitie naar 3D NAND is deze voorsprong alleen maar uitgelopen. Het Moscow Institute of Physics and Technology is het echter gelukt om ReRAM zo te ontwerpen dat het in een 3D structuur gefabriceerd kan worden, waardoor dezelfde voordelen als bij 3D NAND in het verschiet liggen. Massaproductie blijkt nog steeds een uitdaging, waardoor de toekomst van ReRAM nog steeds onzeker lijkt.

Intel en Micron is het al wel gelukt om een niet-vluchtige vorm van RAM op de markt te brengen. Hun 3D XPoint-geheugen biedt significant hogere performance dan NAND maar komt nog niet in de buurt van DRAM. 3D XPoint bestaan uit een andere structuur dan wat de onderzoekers uit Moskou gebruiken.

 

Bron: EE Times

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*