Qualcomm onthult Snapdragon 835-vlaggenschip op 10nm-proces

21 reacties

Qualcomm, een van de grootste spelers op de markt van mobiele system-on-chips, heeft vandaag haar nieuwe vlaggenschip aangekondigd. De Snapdragon 835 volgt de Snapdragon 820 en 821 op en zal op Samsung's spiksplinternieuwe 10nm FinFET-process gebakken worden. Ook kondigt het bedrijf een nieuwe snellaadstandaard aan, Quick Charge 4.0.

In mei 2015 beloofde Samsung al dat het eind 2016 de massaproductie op het 10nm LPE-proces zou starten, en vorige maand is die ook daadwerkelijk begonnen. Met dit nieuwe proces moeten chips 30% kleiner worden en tegelijkertijd 27% hogere kloksnelheden bieden of 40% minder verbruiken. Ook in dit proces worden weer FinFET's gebruikt om het oppervlak tussen de gate en de source van de transistors te vergroten. Door dit grotere oppervlak kan sneller geschakeld worden, waardoor hogere kloksnelheden mogelijk zijn. Deze nieuwe technologie moet als eerst in de Snapdragon 835 zitten, maar zal later ook in andere SoC's worden toegepast.

Keith Kressin (links) en Ben Suh (rechts) met de eerste 10nm SoC, de Snapdragon 835.

Tegelijkertijd kondigt Qualcomm ook Quick Charge 4.0 aan, een snellaadtechnologie die het bedrijf al een tijdje in zijn SoCs toepast. In tegenstelling tot voorgaande versies ondersteunt v4.0 de USB Power Delivery-standaard die stroom levert over USB Type-C, en is daarmee compatibel met apparaten en laders van andere merken. Google wil dit binnenkort verplicht gaan stellen. Ook moet het protocol 20% sneller of 30% efficiënter kunnen laden dan de vorige versie, terwijl de telefoon 5 graden Celsius koeler moet blijven. Na vijf minuten opladen moet een telefoon weer vijf uur mee kunnen en na een kwartier zou de batterij halfvol moeten zitten.

Vergelijking tussen de verschillende Quick Charge-protocollen.

Bron: Qualcomm

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*