Berkeley-onderzoekers creëren transistor met 1nm-gate

16 reacties

Een onderzoeksteam van de US Department of Energy's Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) heeft een transistor gecreëerd met een werkende 1nm-gate. Volgens hoofdonderzoeker Ali Javey heeft het team een 'grote barrière overwonnen in de miniaturisatie van een transistor'.

Conventionele halfgeleidermaterialen raken een 'stenen muur' op 5 nm, simpelweg door de geldende natuurwetten, volgens wetenschappers. Desondanks is het team van Berkeley Lab het gelukt om, dankzij het gebruik van nieuwe materialen, meer ruimte voor schaalverkleining te creëren. Volgens een rapport op het blog van Berkeley is de sleutel tot het creëren van de kleine transistor het gebruik van carbon nanotubes (koolstofnanobuizen) en molybdenum disulfide (MoS2). Dezelfde combinatie van materialen hebben we vaker gezien. Onder meer IBM heeft het gebruikt voor de creatie van een transistor met een 1,8nm-gate.

Volgens Berkeley zouden elektronen vrij spel hebben onder 5nm, dankzij een fenomeen genaamd kwantumtunneling. Met behulp van molybdenum disulfide kunnen de zwaardere elektronen gecontroleerd worden met deze kleinere gates. Ook kan MoS2 verder verkleind worden naar vellen van atomaire dikte, ongeveer 0,65nm. De onderzoekers hebben de koolstofnanobuizen ingebracht als een manier om cilindrische buizen van 1nm te creëren (nanobuizen).

Het team geeft toe dat er nog een lange weg te gaan is om de combinatie van materialen zo toe te passen dat ze geschikt zijn voor commerciële toepassingen. Het onderzoek toont echter aan dat er geen beperkingen meer zijn om lager te gaan dan 5nm transistoren, aldus het team van Berkeley.

Bron: Berkeley Lab

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*