Samsung produceert 4Gbit NAND Flash geheugen

0 reacties

Fabrikant Samsung staat op het punt 4Gbit NAND Flash geheugen in massaproductie te brengen.

Het NAND Flash geheugen zal geproduceerd worden met behulp van een 70nm productietechnologie. Hiermee beweert Samsung de kleinste geheugencelafmetingen, welke 0,025µm bedragen, van de gehele industrie te hebben ontwikkeld. Doordat de geheugenchips een zeer grote dichtheid hebben is het mogelijk grotere opslagcapaciteiten te realiseren, tegen waarschijnlijk lagere kosten. Tevens zou het nieuwe geheugen een schrijfsnelheid van 16MByte/s kunnen halen, wat een verhoging van ongeveer 50% is ten opzichte van 90nm 2Gbit NAND Flash geheugen.

Samsung heeft een nieuwe 300mm wafer productielijn gestart voor het produceren van zowel het 70nm 4Gbit NAND als 90nm 2Gbit NAND Flash geheugen. De productielijn zal met 4000 wafers per maand van start gaan, met het idee dit aantal aan het eind van 2005 opgevoerd te hebben tot 15000 wafers.[ScareCr0w]

Bronnen

  • The Inquirer
  • Samsung persbericht

    Bron: The Inquirer

    « Vorig bericht Volgend bericht »
  • 0
    *