Samsung introduceert vierde generatie V-NAND met 64 lagen

17 reacties

Samsung heeft op de Flash Memory Summit in Santa Clara, Californië zijn vierde generatie V-NAND geïntroduceerd. De vierde revisie van Samsungs gestapelde flashgeheugen maakt een datadichtheid van 512 Gb (64 GB) per die mogelijk, doordat er niet langer 48, maar 64 lagen worden gestapeld.

Aangezien één flashchip doorgaans uit zestien die's bestaat, hoeft er voor een capaciteit van 1 TB nog maar één flashchip te worden gebruikt. Dat maakt het mogelijk om M.2-SSD's te fabriceren met meerdere terabytes aan opslagruimte, of nog veel grotere SSD's op 2,5"-formaat.

De Zuid-Koreaanse technologiegigant maakt melding van een doorvoersnelheid van 100 MB/s per die, waardoor zelfs SSD's met een lage capaciteit en dus weinig die's hoge sequentiële snelheden moeten kunnen halen.

In het vierde kwartaal van 2016 mogen we de eerste producten op basis van het nieuwe V-NAND verwachten.

Foto: Jim Carroll

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*