Micron wil meer opslag in telefoons met stacked 3D-NAND

5 reacties

Micron heeft stacked 3D-NAND aangekondigd voor in mobiele apparaten. De techniek zou meer opslag moeten brengen terwijl het niet veel meer ruimte in beslag neemt. Stacked geheugen kennen we onder andere van HBM-geheugen en komt nu dus ook naar mobiele opslag-technieken.

De eerste variant van het stacked 3D-NAND heeft een capaciteit van 32 GB. De techniek is nu gebaseerd op UFS 2.1, waarvan 48 lagen verticaal gestapeld worden. UFS 2.0-geheugen vonden we voor het eerst in de Samsung Galaxy S6 en is een stuk sneller dan traditioneel opslag-geheugen. UFS 2.1 is nog niet aangekondigd en dus zijn specificaties nog onbekend. Verdere details van de techniek van Micron zijn ook nog onbekend, maar het bedrijf stelt dat het theoretisch een opslag van 1 TeraByte kan bieden rond het jaar van 2020. Een roadmap heeft het bedrijf echter nog niet, dus staan alle opties nog open.

Bron: PCWorld

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*