Inotera produceert DDR2 op 90nm

4 reacties

Inotera, een joint-venture tussen Nanya Tech en Infineon, zal in het derde kwartaal van dit jaar starten met de massaproductie van 512MB DDR2 SDRAM op basis van het 90nm productie procédé. Dit zal waarschijnlijk resulteren in een prijsverlaging van het geheugen daar dunnere productie technieken meestal resulteren in lagere productiekosten. Overige specificaties zoals speed-bins zijn nog onduidelijk. Inotera is de eerste DRAM-leverancier welke bulkhoeveelheden 90nm DDR2 chips voor Infineon zal gaan produceren.

Op dit moment maakt Inotera gebruik van het 90nm procédé in combinatie met deep trench condensator technologie voor de productie van DDR geheugen. De 512MB modules werken op 266, 333 en 400MHz met een maximale latency van CL2. Elpida heeft berekend dat het overschakelen van 100nm naar 90nm deep trench technieken een stijging van 40% geeft in het aantal geslaagde geheugen IC’s per wafer. Dit drukt uiteraard de productiekosten.

Inotera zal naast haar bestaande productie faciliteiten in Taoyuan, Taiwan een tweede fab voor 300mm DRAM wafers openen welke eind 2006 operationeel zal moeten zijn. Het bedrijf hoopt een kwartaal productie te kunnen realiseren van 160.000 200mm wafers tegen 80.000 wafers nu. Verwacht wordt dat de productie van geheugen chips dit jaar het vijfvoudige zal bedragen van de 82 miljoen geproduceerde chips in 2004. [Reintji]

Bron

  • X-bit Labs

    Bron: X-bit Labs

    « Vorig bericht Volgend bericht »
  • 0
    *