Samsung introduceert derde generatie 14nm FinFET LPC-productieprocedé

0 reacties

Samsung introduceert zijn derde generatie 14nm FinFET LPC-productieprocedé. De derde generatie moet lagere productiekosten bieden met daarnaast een lager stroomverbruik. Samsung is van plan nieuwe klanten aan te trekken met behulp van het nieuwe procedé.

Samsungs LSI Business Department heeft op 1 mei aangekondigd dat het spoedig zijn LPC (Low Power Compact) 14nm FinFET-procedé zal voltooien. Partners van Samsung voorspellen dat het proces tegen het einde van het jaar gebruikt kan worden.

Vorig jaar startte de massaproductie van Samsungs eerste generatie LPE (Low Power Early) chips en zijn 14nm LPP (Low Power Plus) chips van de tweede generatie, die tot 14 procent minder stroom verbruiken. De huidige Exynos 8 Octa-serie en Qualcomms Snapdragon 820 die gebruikt worden in de Galaxy S7 worden in massa geproduceerd met behulp van het 14nm LPP-proces.

Het is Samsung gelukt een proces te voltooien dat minder kost en minder stroom verbruikt dankzij het verlagen van het aantal maskers die gebruikt worden tijdens het wafer bewerkingsproces. Volgens Samsung is de verwachting dat het 14nm-proces langdurig gebruikt zal gaan worden, net zoals het 28nm-proces, vanwege het gebruik in veel producten en vanwege de kostenefficiëntie van de reeds bestaande procedés.

Bron: Etnews

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*