Samsung komt als eerste met 10nm DDR4 RAM

15 reacties

Samsung komt met zijn eerste 10nm DRAM-chips. Het bedrijf is begonnen met de massaproductie van de eerste DDR4-chips met een maximale datarate van 3.200 Mbit/s. Dat is ongeveer 30 procent sneller dan de 20nm-klasse-chips die snelheden behalen van2.400 Mbit/s. Samsung loopt hiermee voor op SK Hynix en Micron. De fabrikant zal dit jaar SIMM-modules gaan produceren van 4 GB voor laptops, tot 128 GB-modules voor enterprise-servers. In de 'nabije toekomst' belooft de fabrikant mobiele 10nm-chips te onthullen.

Vorig jaar wist Samsung 10nm NAND-Flash te produceren voor SSD's en andere producten. Het produceren van DRAM-chips op 10nm is moeilijker. Dat komt omdat vluchtig geheugen een condensator nodig heeft naast de transistor, waardoor alle componenten kleiner moeten zijn. De moeilijkheid wordt nog groter doordat de chips 'lagen van zeer nauwe cylinder-gevormde condensators nodig heeft, die grote elektrische ladingen moeten opslaan bovenop enkele tientallen nanometer-brede transistors, waardoor er meer dan acht miljard cellen worden gecreëerd', aldus Samsung.

Samsung maakt de 10nm-chips door gebruik te maken van een viervoudige patroonlithografie (QPT, ofwel Quadruple Patterning Technology). Daarnaast maakt het gebruik van een ultradunne diëlektrische laag.

Bronnen: Businesswire, Engadget

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*