Infineon en Toshiba ontwikkelen samen FeRAM

0 reacties

Geheugenfabrikant Ifineon en Toshiba hebben aangekondigd een samenwerkingsverband aan te gaan voor de ontwikkeling van FeRAM (Ferroelectric Random Acces Memory). FeRAM is een nieuw geheugen type dat even snel is als het bekende SRAM en (S)DRAM, maar daarboven een aantal interessante voordelen heeft. Door gebruikt te maken van nieuwe technieken en Ferroelectrische materialen, verbruikt FeRAM een stuk minder vermogen en kan FeRAM ook data onthouden als de chips geen spanning hebben. Om deze reden zijn er dus ook geen refreshes nodig, zoals dat bij DRAM het geval is.

In eerste instantie zal FeRAM gebruikt worden voor onder andere mobiele telefoons en PDA's. Het eerste commercieele FeRAM product zal een 32 MBit geheugenmodule speciaal gericht op mobiele telefoons zijn. We zullen echter tot eind 2002 moeten wachten, eer FeRAM product echt klaar voor gebruik zijn.

Bron: Infineon

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*