TSMC medewerker lekte FinFET-informatie aan Samsung

9 reacties

Na een aanklacht uit 2011 van het Taiwanese TSMC tegen het oud hoofd van zijn Research & Development heeft de hoogste rechter nu een uitspraak gedaan. De man genaamd Liang Mong-song werd beschuldigd van het uitlekken van bedrijfsgeheimen en informatie over patenten aan Samsung, maar is nu dus schuldig bevonden door het Taiwanese hooggerechtshof.

Uit het onderzoek dat uitgevoerd is door externe experts, blijkt dat sinds de overstap van 45 naar 28 nanometer, de ontwerpen en technieken van TSMC en Samsung steeds meer op elkaar begonnen te lijken. Kijkend naar het 14 nm-proces van Samsung en het 16 nm-proces van TSMC, is geconcludeerd dat het zo op elkaar lijkt, dat verschillen alleen bij diepgaande analyse te vinden zijn.
Zo zou Samsung bij het ontwerpen van chips voorheen veel met IBM samengewerkt hebben, maar begon het bedrijf ineens diamantvormige Silicium-Germanium te gebruiken die erg veel lijkt op de vorm zoals TSMC het gebruikt.

Opmerkelijk genoeg was Liang al eerder opgestapt en vertrokken naar Samsung Institute of Technology. Sinds 2011 is hij in dienst bij Samsung Semiconductor als Chief Technical Officer. Als straf is bepaald dat tot 31 december 2015 uit zijn functie ontheven wordt. Relatief gezien mild, omdat gezegd wordt dat deze uitgelekte informatie voor Samsung een grote rol heeft gespeeld in het verslaan van TSMC in 2015.

Het diamantvormige Silicium-Germanium hier te zien in een foto van Chipworks.

Bronnen: DigiTimes, Chipworks, ExtremeTech

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*