Samsung begint massaproductie 3D V-NAND van 256 Gbit: verdubbeling capaciteit

22 reacties

Samsung heeft vannacht aan de wereld laten weten dat het gestart is met de massaproductie van 3D V-NAND met een grotere opslagcapaciteit. Waar iedere driedimensionale die voorheen 128 Gigabit (16 GB) kon opslaan, heeft de Zuid-Koreaanse fabrikant deze grens bij de derde generatie van het V-NAND verlegd naar 256 Gigabit (32 GB). 

Daarmee wordt het dus mogelijk om SSD's op de markt te brengen met twee keer zoveel opslag, oftewel meerdere terabytes. Extra voordelen zijn dat het energiegebruik met ruwweg 30 procent teruggebracht is en dat de effectieve productiekosten per gigabyte met ongeveer 40 procent gedaald zijn. Dat komt onder andere omdat men nog gebruik kan maken van de huidige productiefaciliteiten.

Net als de tweede generatie die precies een jaar geleden geïntroduceerd werd, gebruikt Samsung TLC-geheugenchips bestaande uit meerdere lagen - al zijn er dat deze keer 48 in plaats van 32. In totaal beschikt ieder exemplaar over 85 miljard geheugencellen met 1,8 miljard kanalen om de stapel met elkaar te verbinden. De chips zijn volgens Samsung overigens kleiner dan een vingertop, al is dat natuurlijk niet bepaald een nauwkeurige maatstaf.

Samsung is van plan om het nieuwe 256 Gbit 3D V-NAND dit jaar en masse te produceren om zo grotere SSD's sneller de markt op te krijgen. Daarnaast is het bedrijf van plan om meer professionele producten met PCI-Express en NVMe te gaan verkopen.

Bron: techPowerUp

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*