Toshiba en SanDisk introduceren chip met 1 GB opslagcapaciteit

0 reacties

Toshiba en SanDisk hebben begin deze week een 8 Gb NAND flash memory chip geïntroduceerd. Deze chip is gebaseerd op een 70nm productieproces. Middels deze technologie zou het mogelijk zijn om 1 GB aan data op te slaan op één enkele chip. De nieuwe chip werd tijdens de International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) naar voren gebracht.

De nieuwe NAND flash memory is gebakken op 70nm en maakt gebruik van multi-level cell (MLC) technologie. Dit houdt in dat twee bit aan data opgeslagen kan worden in één geheugencel. Op 146 vierkante millimeter heeft de 8 Gb chip een dichtheid van zes miljard bits of drie miljard transistors per vierkante centimeter.

Prestatie is geoptimaliseerd door de toepassing van fast writing circuit technieken, wat de data schrijftijd beperkt en een schrijfsnelheid van 6 MB per seconde met zich meebrengt, aldus Toshiba en SanDisk. De leessnelheid is 60 MB per seconde. Dit is 40% sneller dan voorgaande generaties apparaten.

Komende zomer willen Toshiba en SanDisk beginnen met de productie van dit apparaat. Beide bedrijven hebben ook plannen om een 16 Gb NAND flash memory IC in productie te nemen. Deze zou twee 8Gb NAND flash geheugens kunnen opslaan in één enkele chip. [RK]

Bron

  • EE Times

    Bron: EE Times

    « Vorig bericht Volgend bericht »
  • 0
    *