Samsung start productie TLC 3D V-NAND-geheugen

6 reacties

Dat Samsung druk bezig is met 3D V-NAND moge ondertussen duidelijk zijn, zo berichtten we op 1 juli al over TLC 3D V-NAND-geheugen. Nu heeft Samsung laten weten dat het de massaproductie is gestart voor dit TLC 3D V-NAND-geheugen. Dit geheugen wordt ontwikkeld voor het gebruik in SSD's. Eerder hebben we 3D V-NAND onder andere gezien bij de Samsung 850 Pro waarin MLC-flashgeheugen geplaatst was. 

Nu lijkt Samsung dus over te gaan op TLC 3D V-NAND-geheugen waarbij 3 bits per cel in plaats van 2 bits per cel (MLC) aanwezig zijn. Samsung geeft hierbij zelf op dat dit in vergelijking met het normale 3 bit flashgeheugen productieproces op 10 nm een verdubbeling van de productie met zich mee brengt. Bij 3D V-NAND staan de transistors 90 graden gekanteld in de chip en kunnen transistors hierdoor gestapeld worden. Bij de huidige generatie 3D V-NAND is het mogelijk om tot 32 cellen te stapelen. Samsung claimde bij de tweede generatie 3D V-NAND met MLC-geheugen, zoals aanwezig in de Samsung 850 Pro, dat er een twee keer hogere endurance en een 20% lager stroomverbruik zou moeten zijn dan traditioneel 2D MLC flashgeheugen. Of deze claims ook op gaan voor TLC geheugen wordt echter niet duidelijk.

Het is nu dus afwachten tot er daadwerkelijk producten met TLC 3D V-NAND-geheugen op de markt zullen komen. Hier worden door Samsung verder geen uitspraken over gedaan.

 
De Samsung Pro 850 met MLC 3D V-NAND, binnenkort Samsung SSD's met TLC 3D V-NAND beschikbaar?

Bron: Businesswire

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*