Infineon claimt een 20nm metende, niet vluchtige flash geheugencel te hebben ontwikkeld. Ter illustratie: dit is 5.000 maal dunner dan menselijk haar.
Volgens Infineon moet deze ontwikkeling ertoe leiden binnen een paar jaar niet vluchtige geheugencellen met een capaciteit van 32 Gbits te kunnen produceren.
Het produceren van de extreem kleine cellen werd mogelijk door een driedimensionale structuur te vervaardigen met een “fin” voor de transistor. Deze geometrie maakt korte metten met ongewenste effecten en zorgt voor betere elektrostatische controlemogelijkheden.
De FinFETs (Fin field effect transistors) slaan de elektronen, geïsoleerd tussen de silicone fin en de gate elektrode, op in een nitride laag. De fin is nauwelijks 8nm dik en en wordt aangestuurd door een 20nm gate elektrode.
Infineon stelt dat huidig geheugen zo’n 1000 elektronen nodig heeft om 1 bit op betrouwbare wijze te kunnen onthouden, waar de FinFET er slechts 100 voor nodig zou moeten hebben. [RS]
Bron
Bron: The Inquirer
