Samsung: 1 GB FB-DIMMS voor 2005 gepland

0 reacties

Samsung Electronics, 's werelds grootste geheugen fabrikant, heeft onlangs een next-gen geheugenmodule aangekondigd, een op DDR2-gebaseerde 1GB, volledig gebufferde, dual-in-line module (FB-DIMM). Productie van deze modules zou in de eerste helft van 2005 moeten beginnen.

Jon Kang, SVP marketing voor Samsung, beweert dat Samsung wil voldoen aan de stijgende vraag naar snellere systeemprestaties, en denkt dat het FB-DIMM ontwerp (Fully Buffered, Dual In-line Memory Module) zal worden overgenomen door de rest van de markt en de nieuwe standaard wordt.

De FB-DIMM, een nieuw ontwerp waardoor de bottleneck in geheugen performance en bandbreedte zal worden opgelost, is vooral gericht op het gebruik in servers en workstations. Bij conventionele modules daalt de toegangssnelheid per geheugenslot bij het toenemen van de FSB snelheid, waardoor de bandbreedte afneemt. Samsung zegt met het nieuwe ontwerp dit te kunnen omzeilen, door het gebruik van point-to-point links waardoor meerdere modules op een serieel kanaal kunnen worden aangesloten, en dus ook tegelijk kunnen worden aangesproken.


Een referentiemodel van FB-DIMM geheugen van Samsung


Een buffer chip is toegevoegd zodat elke module gebruik kan maken van hoge en lage interface snelheden. De bufferchip zelf kan een snelheid genereren tussen 3.2 en 4.8 Gbits/sec, zes maal zoveel als DRAM modules.

Samsung zal in de eerste helft van 2005 beginnen met de massa productie van FB-DIMMs, om naar eigen zeggen te kunnen voldoen aan de vraag in de markt naar cutting-edge technologieen.

Bron
  • X-bit labs

    Vertaald en bewerkt door nitraM

    Bron: X-bit Labs

    « Vorig bericht Volgend bericht »
  • 0
    *