15 nm technologie doet intrede in NAND flash geheugen

14 reacties

Zowel Toshiba als Sandisk claimen de introductie van de 15 nm technologie in NAND flash geheugen. De technologie wordt toegepast in 2-bit-per-cell en, in de tweede helft van 2014, 3-bit-per-cell NAND flash. 15 nm moet het tweede generatie 19 nm procedé gaan vervangen, waarbij aangetekend dat massaproductie eind april moet starten.

De nieuwe chips behalen dezelfde schrijfsnelheden als chips die met 19 nm zijn vervaardigd, maar geven de datadoorvoersnelheid een boost naar 533 megabits per seconde, bijna anderhalf keer sneller dan voorheen behaald kon worden. De ontwikkeling van controllers voor embedded NAND flash gaat ondertussen verder, terwijl de massaproductie van 3-bit-per-cell producten voor smartphones en tablets vermoedelijk in juni van dit jaar zal starten. Uiteindelijk moeten ook notebooks kunnen profiteren met de ontwikkeling van een controller die compatibel is met SSD's.

Bronnen: Techpowerup, Techpowerup

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*