ST-MRAM geheugen van Everspin komt naar Buffalo SSD's

9 reacties

Een jaar geleden kondigde Everspin Technologies aan dat het bedrijf met de MRAM modules op de markt zou komen. Voluit heet de techniek Spin-Torque Magneto-resistive Random Access Memory (ST-MRAM) geheugen is sinds 2005 redelijk ontwikkeld als vervanging van de traditionelere DRAM-chips en flashgeheugen.

ST-MRAM geheugen slaat data op door elektronen één richting op te laten draaien waarmee een klein magnetisch veld wordt opgewekt, die zorgt voor een andere geleidingsweerstand en daarmee ontstaat een geheugencel. Door alleen de draairichting van elektronen aan te passen is de techniek bijzonder snel en zou het zich kunnen meten met DRAM. DRAM verliest echter zijn informatie wanneer de spanning weg valt, terwijl MRAM net zoals NAND-flashgeheugen een lading over lange tijd ook zonder spanningsbron kan vasthouden. Een ander bijkomend voordeel van ST-MRAM is dat door de beperkte aanpassingen van alleen de draairichting, de cellen een stuk langer meegaan dan normale NAND-flashgeheugenchips en energiezuiniger zijn. Momenteel is de levensduur van de huidige generatie NAND-flashgeheugencellen nog niet het grootste probleem, zoals de levensduurtest van Hardware.info van de Samsung SSD 840 met TLC-chips aantoonde, maar naar mate de flashchips kleiner worden gaat ook de levensduur hard achteruit. Als laatste voordeel hoeft ST-MRAM minder complex te worden aangestuurd, waardoor de controllers minder uitgebreid hoeven te zijn en het geheugen ook bestand is tegen het plotseling wegvallen van de spanning, in tegenstelling tot de meeste moderne SSD's. 

ST-MRAM geheugencellen zijn dus sneller dan huidige flashgeheugencellen, een stuk betrouwbaarder en ook nog eens energiezuiniger. Je voelt al aankomen dat er een adder onder het gras zit, anders zou Everspin Technologies de technologie al een stuk sneller op de markt hebben kunnen zetten.

In tegenstelling tot bijvoorbeeld NAND-chips waarin het afgelopen decennium flink is geïnvesteerd en ook flink is ontwikkeld van geheugenkaartjes van 2 MB voor fotocamera's of USB-flashdrives met een opslagcapaciteit van 128 MB naar de huidige USB-flashdrives en geheugenkaartjes waar 64 GB momenteel al geen uitzondering is. ST-MRAM moet nog eenzelfde ontwikkeling doormaken. Vorig jaar werd nog een opslagcapaciteit van 8 MByte (64 Mbit) geboden met ST-MRAM chips met de belofte naar opschaling en inmiddels heeft Everspin een koper gevonden voor de chips. 

Buffalo heeft nu aangekondigd dat in samenwerking met Everspin Technologies de eerste SATA 6,0 Gbit/s SSD zal worden gelanceerd die gebruik maakt van ST-MRAM EMD3D064M 64 Mbit modules als cachegeheugen. Hierdoor zou het cachegeheugen een stuk robuuster zijn en ook bestand tegen het wegvallen van de spanning zonder kans op datacorruptie. De eerste SSD serie van Buffalo die de ST-MRAM modules gaat gebruiken zal de SS6 serie zijn die voor bedrijven is bedoeld.

Een SSD volledig opbouwen uit ST-MRAM geheugen is momenteel nog onbetaalbaar als je bedenkt dat ST-MRAM modules per module 50x duurder zijn en daarbij nauwelijks opslagcapaciteit bieden. Everspin is echter ook al druk bezig met de eerste 256 MByte (1 Gbit) chips. 

Bron: Techpowerup

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*