Micron bakt 128 gigabit TLC geheugenchip op 20nm

1 reactie

Het is Micron gelukt om Triple Level Cell (TLC) chips met een capaciteit van 128 gigabit te fabriceren. De chips zijn gebakken middels het 20nm productieprocedé en kunnen, zoals de naam al suggereert, drie bits per geheugencel bewaren. De combinatie maakt het mogelijk om eenzelfde opslagcapaciteit te bieden met circa tweederde van het chipoppervlak. Een kanttekening bij de techniek is echter is dat de schrijfsnelheid tegenvalt en de geheugencellen ‘slechts’ 750x overschreven kunnen worden, middels overprovisionering en wear-leveling algoritmes moet de levensduur van de chips echter ook over langere periode goed blijven.

Samsung heeft TLC flashgeheugen gebruikt in de 840-serie ‘niet-Pro’ SSD’s en we schreven in onze review al dat als je van plan bent je PC zeer intensief te gaan gebruiken en de kans bestaat dat je SSD erg vol komt te zitten, we niet voor dit type geheugenchips zouden kiezen.

Bovenstaande biedt voldoende reden om te denken dat we de 128 gigabit TLC chips van Micron voornamelijk terug zullen gaan vinden in geheugenkaartjes en USB-flashdrives. Micron claimt dat de 20nm TLC chip de hoogste datadichtheid ter wereld heeft, zo is het geheel met een oppervlakte van 146 vierkante millimeter zo’n 25 procent kleiner ten opzichte van een 128 gigabit MLC chip. Wanneer we producten met de Micron TLC chips op de markt mogen verwelkomen is nog niets bekend.

Bron: X-bit labs

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*