Onderzoekers bouwen 20 nm grote '4D'-transistoren

15 reacties

Een onderzoeksteam dat bestaat uit medewerkers van de Amerikaanse Purdue- en Harvard-universiteiten, hebben een nieuw type multidimensionale transistor ontworpen met gates die 20 nanometer groot zijn. Deze bestaan uit de elementen indium, gallium en arsenide en worden afgekort tot InGaAs. Traditionele transistoren zijn opgetrokken uit silicium oftewel zeer zuiver zand. Intels Tri-Gate transistoren hebben gates of poorten van 22 nm groot zijn en worden gebruikt in de Ivy Bridge-processorreeks. Dit zijn voor commerciële producten de eerste transistoren die niet nagenoeg plat zijn maar ook de hoogte in gaan.

Intels 22 nm grote Tri Gate-transistoren die in Ivy Bridge-CPU's zitten, om een idee te geven van wat komen gaat.

Het verschil met de zogenoemde 3D-transistoren van Intel zit in de vorm. Een directe vergelijking is niet beschikbaar omdat het team weigert beelden van de nieuwe transistoren naar buiten te brengen. Ze geven wel een beschrijving van wat we kunnen verwachten: de transistoren zouden er uitzien als een verticaal uitgerekte driehoek. De onderzoekers vergelijken het zelfs met de vorm van een kerstboom. Door omhoog te groeien, zou er een grotere hoeveelheid stroom (uitgedrukt in ampère) door de transistor gaan waardoor het voltage omlaag geschroefd kan worden. Uiteindelijk zal niet alleen het stroomverbruik waarschijnlijk verminderen, ook kan de transistor sneller functioneren. In een flatgebouw kunnen namelijk meer mensen wonen en leven dan in een eengezinswoning, zo is de logica van de onderzoekers. Zij gaan alleen niet in op de vraag wat er nu precies '4D' is aan het transistortype.

Belangrijker nog dan de vorm van de transistor is de scheikundige samenstelling van het materiaal. Men vermoedt dat met behulp van InGaAs transistoren naar beneden kunnen schalen tot een formaat van minder dan 10 nanometer. Dit zou voor veel chipfabrikanten de nodige ademruimte opleveren omdat ze meer transistoren op een kleiner oppervlak kwijt kunnen. Het is nog niet bekend wanneer de alternatieve scheikundige verbinding op commerciële schaal toegepast kan worden. Meer uitleg over de transistoren zal gegeven worden op het International Electron Devices Meeting in San Francisco.

Bron: BitTech

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*