IBM slaagt in 9 nm nanotube transistor: sneller en zuiniger

7 reacties

Onderzoekers van IBM zijn er in geslaagd om een nanotube transistor van grafiet te maken die eveneens beter presteert dan vergelijkbare silicium transistors waarvan de kleinste momenteel 10 nm meet. De nanotubes waren zowel sneller als energiezuiniger dan de silicium chips. De nanotube is gemaakt met een 9 nm productieproces, maar zou volgens de onderzoekers dankzij goede eigenschappen om te werken als een halfgeleider zelfs nog iets kleiner kunnen. Wetenschappers vermoeden al langer dat nanotubes beter kunnen presteren dan silicium transistors, maar tot dusverre was hier nooit bewijs voor geleverd.

De ontwikkeling van nieuwe processen is vaak erg gecompliceerd en ook riskant, aangezien de nieuwe vinding het moet opnemen tegen silicium chips waarmee al jaren gewerkt wordt en die al helemaal geperfectioneerd zijn, terwijl nanotubes nog in hun kinderschoenen staan wat betreft de ontwikkeling. Het is daarom goed nieuws dat de eerste versies van deze nanotubes al gelijk betere resultaten laten zien dan mogelijk was met andere huidige productieprocessen. De onderzoekers verwachten dan ook dat de komende jaren nog kleinere transistors mogelijk worden wanneer de nanotubes verder kunnen worden ontwikkeld.

Momenteel is het kleinste productieproces voor de massaproductie van transistors ingericht op 22 nm. Wanneer de limieten van het silicium productieproces voor transistors bereikt worden ergens tussen de 10 nm en 15 nm, zal de overstap dus kunnen worden gemaakt naar de nanotubes van koolstof. Het theoretische minimum van nanotubes van grafiet ligt rond de 3 nm, dit zal echter nog wel wat langer duren voordat deze grens bereikt wordt.

Bron: American Chemical Society

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*