IDF: Intel en Micron tonen prototype van nieuw geheugen

17 reacties

Intel heeft een demonstratie gegeven van wat men noemt Hybrid Memory Cube geheugen, een nieuwe geheugentechnologie die veel hogere snelheden mogelijk maakt. De technologie is in samenwerking met Micron ontwikkeld.

Bij HMC-geheugen worden meerdere lagen met geheugencellen op elkaar gestapeld. Dat betekent uiteraard dat er een veel grotere capaciteit in een geheugenchip past, maar heeft ook positieve gevolgen voor zowel de prestaties als het stroomverbruik. Volgens de ontwikkelaars kunnen HMC-modules tot 15x sneller werken dan DDR3 op dit moment, terwijl het stroomverbruik met 70% kan worden teruggebracht.

Het getoonde prototype wist 121 Gigabyte aan data per seconde te transporteren. Ter vergelijk: een DDR3-1600 geheugenmodule heeft een maximale theoretische doorvoersnelheid van 12,8 Gigabyte per seconde. Wanneer HMC-geheugen daadwerkelijk beschikbaar zal komen is nog niet bekend.

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*