Intel stapt in 2005 over op 65 nanometer productie

0 reacties

Intel heeft in haar ontwikkelingsfabriek in het Amerikaanse Hillsboro, Oregon, een volledig functionele SRAM chip gefabriceerd gebruikmakend van een 65 nanometer proces. Met deze stap geeft Intel aan op de goede weg zijn om medio 2005 over te stappen van het 90 nanometer fabricageprocédé naar dit nog kleinere proces. De chips zullen gemaakt worden op grote, 300 mm wafers.

In het procédé wordt gebruik gemaakt van energiezuinige transistors, en zeer snelle koperverbinding en een zogenaamd low k dielectricum. Met behulp van deze stap is Intel instaat om het dubbele aantal transistors in een chip in te bouwen.

Bron: Intel

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*