Samsung RRAM miljoen keer vaker te beschrijven dan flashgeheugen

15 reacties

Er bestaat sinds de introductie van SSD’s veel onenigheid omtrent de levensduur van het flashgeheugen, waarop de overstap naar 25 nm geheugencellen geen uitzondering is. De levensduur zou door het nieuwe productieprocedé namelijk flink verkort worden, maar na een berekening konden we concluderen dat het eigenlijk niet van belang is.

Toch staat de techniek niet stil, want volgens Samsung hebben onderzoekers van het bedrijf een doorbraak bereikt bij het ontwikkelen van een nieuw soort geheugen, het RRAM. De huidige prototypes van dit geheugen kunnen ongeveer 1012 (een miljoen miljoen) keer beschreven worden, tegenover de 3.000 keer van de huidige 25 nm geheugencellen. Deze verbetering wordt mogelijk gemaakt door het gebruik van Tantalium-structuren, in plaats van het traditionele Silicium.

Volgens de ontwikkelaars is niet alleen de levensduur van het geheugen verlengd, maar is ook de geheugendichtheid een stuk hoger bij het RRAM. Bovendien kan het energiegebruik verder verlaagd worden, maar is het vooralsnog onduidelijk of de nieuwe technologie ooit op de markt zal verschijnen.

Bron: Electronista

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*