Intel en Micron naar 20 nm NAND voor SSD's

23 reacties

Verschillende fabrikanten hebben de afgelopen maanden hun SSD's uitgerust met 25 nm MLC NAND flashgeheugen, waaronder de OCZ Vertex 3 en de Intel 320 SSD's. De geheugenchips worden dankzij de steeds kleinere productiemethodes goedkoper om te maken. Intel en Micron hebben echter alweer de eerste geheugenchip met 8 GB aan MLC NAND flashgeheugen aangekondigd gemaakt volgens een 20 nm productieproces. De module heeft een oppervlakte van 118 vierkante millimeter en is bedoeld voor gebruik in SSD's maar ook voor tablets en smartphones. Ten opzichte van de huidige 25 nm geheugenchips die onlangs werden geïntroduceerd belooft Intel dat de verpakkingen weer 30% tot maximaal 40% kleiner gemaakt kunnen worden.

Een nadeel van de verkleining van het productieprocedé bij NAND geheugenchips is dat de geheugenchips minder robuust worden. Het maximale aantal keren dat een geheugencel beschreven en weer geleegd kan worden gaat hierdoor achteruit. Bij 50 nm NAND geheugen bedroeg het maximale zogenaamde program/erase cycli nog 10.000, bij 34 nm geheugen bedroeg dit nog 5000 cycli. Het huidige 25 nm geheugen kan afhankelijk van de productiecontrole ongeveer 3000 tot 5000 program/erase cycli behalen. De nieuwe 20 nm geheugenchips zouden momenteel iets minder robuust zijn dan 25 nm geheugenchips, maar zouden door verdere ontwikkeling in de komende maanden uiteindelijk dezelfde kwaliteit moeten gaan bieden. Concreet betekent dit dat 20 nm NAND geheugen ook weer 3000 tot 5000 program/erase cycli kan bieden.

Het verlies in levensduur is echter vooral theoretisch. In de praktijk duurt het bij zwaar gebruik altijd nog vele jaren voordat een SSD aan deze limiet toe kan komen, het is dus veel waarschijnlijker dat SSD's eerder technisch verouderd raken door snellere en betere opvolgers dan dat de cellen niet meer herbeschreven kunnen worden. Daarnaast kunnen flashgeheugencellen ook nadat ze niet meer beschreven kunnen worden nog wel altijd worden uitgelezen.

De ontwikkeling van een nieuw productieprocedé vereist normaal 15 tot 18 maanden. Intel en Micron waren al enige tijd bezig waardoor 20 nm NAND geheugen in de tweede helft van dit jaar op de markt zou kunnen komen. Voor de massaproductie van 20 nm NAND geheugen zullen een aantal fabrieken die momenteel 25 nm NAND flashgeheugen maken enigszins worden aangepast de komende maanden.

IMFT maakt 20 nm NAND flashgeheugenmodule met een capaciteit van 8 GB.

Bronnen: Anandtech, Intel

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*