IBM ontwikkelt 155 GHz grafeen transistor

13 reacties

IBM wist iets meer dan een jaar geleden al een transistor te fabriceren die kan schakelen met een frequentie van maximaal 100 GHz, een record destijds. Inmiddels hebben dezelfde wetenschappers de grens van de transistor op basis van grafeen, een enkellaagsvlak van koolstofatomen die in een honingraatstructuur gebonden zijn, alweer flink verlegd tot 155 GHz.

Het onderzoek wordt verricht als onderdeel van het Amerikaanse Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) programma en moet naast recordbrekende resultaten ook aantonen dat commerciële toepassing van grafeen transistors binnen handbereik komt. De variant die IBM ontwikkeld heeft is gebaseerd op een aangepast substraat dat het bedrijf aanduidt met "diamant-achtige koolstof". Ten opzichte van de eerder gepresenteerde transistor wisten de onderzoekers bovendien de gate-lengte te verkorten van 240 nm tot 40 nm en ook zou de transistor stabiel zijn werk kunnen doen onder zeer gevarieerde omgevingstemperaturen, van kamertemperatuur tot -268 graden Celsius.

Hoewel grafeen transistors de potentie bieden om aanzienlijk sneller te worden dan conventionele transistors op basis van silicium, zijn ze vooralsnog weinig geschikt voor de PC-industrie. Grafeen ontbeert van nature namelijk de zogeheten 'band gap' die benodigd is voor de hoge aan/uit-verhouding van een voor digitale toepassingen geschikte transistor. De lage ratio maakt grafeen echter juist wel zeer interessant voor analoge toepassingen, waarbij geen discreet maar een continu signaal aan de orde is.

Ook interessant is het feit dat de onderzoekers van IBM de grafeen transistor gerealiseerd hebben met productietechnieken die momenteel ook al gebruikt worden voor silicium transistors. Deze eigenschap wordt als de sleutel gezien tot het in de toekomst succesvol toepassen van grafeen transistors in elektronische componenten.

Bron: Computer World

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*