Nieuwe 4 Gbit DDR2 chips van Samsung

3 reacties

Samsung heeft de laatste hand gelegd aan een nieuwe generatie DDR2 geheugenchips met een capaciteit van 4 Gbit. De chips worden gebakken op een 30nm procedé en zijn bedoeld voor gebruik in kleine en mobiele apparaten zoals tablets, smartphones en energiezuinige netbooks. Deze nieuwe 4 Gbit chips werken op een laag voltage en zijn daardoor een stuk zuiniger dan regulier DDR2 geheugen. Ten opzichte van de vorige generatie 2 Gbit LPDDR2 chips op het 40nm procedé claimt Samsung een 60% hogere productiviteit en een energieverbruik dat 25% lager is.

Daarnaast maakt de verdubbeling van de capaciteit het mogelijk om slechts half zoveel chips te gebruiken, wat zeker in kleine apparaten als smartphones en tablets goed van pas zal komen. Zo kan Samsung nu 1 GB modules maken met slechts twee chips, waar voorheen nog vier chips van 2 Gbit voor nodig waren. Daarnaast is de nieuwe chip ook iets dunner met 0,8 mm tegenover 1 mm voor de vorige generatie. De nieuwe DDR2 chips van Samsung halen een doorvoersnelheid van 1066 Mbps en bieden dus ook snelheidswinst.

Samsung wil nog deze maand de massaproductie van 1 GB modules op basis van deze zuinige en snelle 4 Gbit LPDDR2 chips opstarten en in een later stadium zouden dan ook modules van 2 GB van de band moeten rollen voor de nieuwste generatie tablets, smartphones en dergelijke.

Samsung heeft nieuwe generatie 4 Gbit DDR2 chips op 30nm procedé gereed

Bron: Techpowerup

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*