Consortium met Intel om 10 nm te bereiken

20 reacties

Hoewel Intel voornamelijk bekend staat om zelf onderzoek te verrichten, zal het bedrijf waarschijnlijk op korte termijn een samenwerkingsverband aankondigen met onder andere Toshiba en Samsung om het 10 nm productieproces te gaan ontwikkelen. Het consortium zou hiernaast nog tien andere bedrijven kunnen gaan bevatten die actief zijn in de halfgeleiderindustrie of een relatie hiermee hebben.

De bedrijven schatten voor de ontwikkeling ongeveer 90 miljoen euro nodig te zijn, waarvan de helft zal worden geleverd door het Japanse ministerie van economische zaken. De andere helft zal worden geleverd door de samenwerkende bedrijven. Samsung en Toshiba zijn van plan om 10 nm transistors te gaan gebruiken in NAND flashgeheugencellen, die onder andere worden toegepast in SSD's. In plaats van het 10 nm proces te gaan gebruiken voor processors, lijkt het waarschijnlijker dat Intel het productieproces gaat gebruiken voor haar eigen 10 nm flashgeheugen voor haar SSD's door de aanzienlijke verschillen tussen microprocessors en NAND flashgeheugen.

Samsung en Toshiba nemen momenteel ook deel aan een samenwerkingsverband met IBM om productieprocessen te ontwikkelen voor onder andere processors. Intel heeft zelf ook al een samenwerkingsverband met Micron om flashgeheugen te ontwikkelen, waarmee het waarschijnlijk is dat Micron eveneens kan gaan toetreden tot het nog te vormen nieuwe consortium.

Volgens de huidige verwachting zou het 10 nm productieproces rond 2016 voldoende zijn ontwikkeld om toegepast te gaan worden.

Intel, Toshiba en Samsung zouden een samenwerkingsverband aangaan voor de ontwikkeling van 10 nm NAND flashgeheugen.

Bron: Xbitlabs

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*