Intel en Micron slaan 3 bits per 25 nm flashcel op

6 reacties

In navolging van onder andere Samsung en SanDisk heeft ook IM Flash Technologies, het samenwerkingsverband tussen Intel en Micron, aangekondigd de laatste hand te leggen aan de eerste 25 nm flashgeheugenchips die drie bits per cel kunnen opslaan. Dit type geheugen wordt ook wel aangeduid met Triple-Level Cell (TLC) en is de volgende logische stap na SLC en twee bits per cel MLC.

Waar Single-Level Cell chips één bit per cel kunnen herbergen, voegt Multi-Level Cell geheugen hier meer bits per cel aan toe. Doorgaans doelt men met MLC op geheugen dat twee bit per cel kan opslaan, maar de naam geeft al aan dat dit er ook meer kunnen zijn. In het geval van de nieuwe 25 nm chips, die een capaciteit van 8 GB hebben, zijn dit drie bits per cel, oftewel TLC.

Door meer bits in één cel te huisvesten is de volgens het 25 nm productieproces gefabriceerde 8 GB TLC chip ruim 20% kleiner dan een MLC chip met identieke grootte en procedé. De geheugendie zou een oppervlakte hebben van slechts 131 mm² en daarmee bij uitstek geschikt zijn voor gebruik in allerhande geheugenkaarten en USB-flashdrives voor de consumentenmarkt.

Hoewel TLC chips lagere productiekosten met zich meebrengen en meer capaciteit voor hetzelfde geld bieden, zijn er ook enkele kanttekeningen te stellen. Zo liggen de prestaties lager dan bij SLC geheugen en heeft het een minder lange levensduur. Het is dan ook niet waarschijnlijk dat we dit type chips al op korte termijn in bijvoorbeeld SSD's zullen gaan aantreffen.

Vanaf eind dit jaar zullen de 25 nm flashchips met 3 bits per cel in grote getale van de band rollen.

Bron: IM Flash Technologies

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*