GlobalFoundries' Fab-1 werkt aan 22 nm proces

9 reacties

In Fab-1, de eerste fabriek van GlobalFoundries en die voorheen uit AMD's Fab-30 en -36 bestond, wordt momenteel hard gewerkt aan het realiseren van het 22 nm productieprocédé, zo weet EETimes te melden. De fabriek zal een centrale plek innemen bij de productie van 40/45 nm chips alsook 32/28 nm chips, maar nu dus ook aan de wieg staan van het 22 nm proces. Zodra de bouw van Fab-8 in New York voltooid is, moet daar de massaproductie gaan plaatsvinden.

Vooralsnog is niet duidelijk of de transistors op het 22 nm proces dezelfde gate-first high-K metal gate (HKMG) productiewijze zullen volgen zoals die voorgesteld is voor de 28 en 32 nm transistors; er bestaat namelijk ook een last-gate werkwijze. Het 'first' en 'last' staat voor het aanbrengen van de metalen electrode respectievelijk voor of na het verhitten van het geheel en biedt allebei zo zijn voor- en nadelen.

Naast Fab-1 wordt er ook nog ergens anders gewerkt aan het 22 nm productieproces, aldus Udo Nothelfer, directeur van Fab-1. Momenteel verzorgt de fabriek de productie van 45-nm SOI chips, waarbij binnen afzienbare tijd ook het 32 nm SOI en 28 nm CMOS proces een centrale plek zal innemen. Massaproductie van 22 nm chips wordt niet verwacht vóór de tweede helft van 2012.

Een 22 nm wafer werd al door Intel getoond tijdens IDF2009

Bron: EETimes

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*