32 GB DDR3-modules in zicht

19 reacties

's Werelds eerste 32 GB registered DDR3-geheugenmodule werd in juni vorig jaar door Samsung geproduceerd, zo claimde de fabrikant. Nu bericht Samsung dat de modules, die zijn gebaseerd op nieuwe 4 Gbit DDR3-chips, in massaproductie zijn genomen. De modules werken op een spanning van 1,35 of 1,5 V en hebben een theoretische snelheid van 1,6 gigabit per seconde.

Om 32 GB oftewel 288 Gbit aan capaciteit op één geheugenmodule te plaatsen (rekening houdend met een extra pariteitsbit) wordt gebruik gemaakt van 72 DDR3-chips met elk 4 Gbit capaciteit. Vorig jaar werden deze chips nog met een 50 nm productieproces gemaakt, maar inmiddels is Samsung overgestapt op een 40 nm proces. Het bedrijf is voornemens om 90% van haar geheugenproductie te migreren naar dit nieuwe proces.

Registered DRAM wordt vooral gebruikt in servers. Omdat huidige modules op basis van 2 Gbit chips maximaal 16 GB capaciteit hebben, kan een server met zes geheugenslots tot 96 GB geheugen herbergen. De nieuwe producten van Samsung maken een verdubbeling van deze capaciteit mogelijk.

Ook wat betreft het benodigde vermogen wordt er vooruitgang geclaimd met de nieuwe modules. Terwijl een huidige module op basis van 40 nm 2 Gbit DDR3-chips nog 55 W gebruikt, wordt dit volgens Samsung gereduceerd tot 36 W voor een equivalente module op basis van 4 Gbit chips. Een vergelijkbare module met oudere 1 Gbit DDR2-componenten op basis van een 60 nm proces zou zelfs 210 W gebruiken.

De nieuwe 4 Gbit DDR3-chips worden toegepast in registered DRAM modules van 32 en 16 GB. Voor high-end notebooks zijn SODIMM's met een capaciteit van 8 GB ontwikkeld. Wanneer deze modules verkrijgbaar zullen zijn, is vooralsnog onbekend.

Bron: EETimes

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*