IBM fabriceert 100 GHz transistor van grafeen

16 reacties

IBM heeft een transistor onthuld die kan schakelen met een maximale frequentie van 100 gigahertz. Het bedrijf wil hiermee aantonen dat van grafeen gefabriceerde transistors een interessant alternatief vormen voor next-gen circuits ten opzichte van de huidige van silicium vervaardigde transistors.

De enorm hoge frequentie werd verkregen met een grafeen transistor op een wafer die met huidige technologie gebakken zou kunnen worden. Grafeen is een stof bestaande uit een laag koolstofatomen die in een honingraatachtige structuur van slechts één atoom dik zitten gebonden. Mede hierdoor zijn elektronen in staat met een zeer hoge snelheid door de stof te propageren. Grafeen heeft bovendien unieke optische, mechanische en thermische eigenschappen waar momenteel nog veel onderzoek naar wordt gedaan.

Eerder liet het team van onderzoekers al transistors zien die gemaakt waren van grafeenvlokken afkomstig van natuurlijk grafiet, deze konden een frequentie van 26 GHz aan. De nieuwe 100 GHz transistor werd gemaakt van synthetisch grafeen, door een substraat van siliciumcarbide (SiC) met hitte te behandelen. Interessant is dat de onderzoeksgroep met de bereikte schakelsnelheid van 100 GHz al aangetoond heeft dat circuits van grafeen met dezelfde gate lengte de state-of-the-art silicium transistors, die in testomgevingen zo'n 40 GHz halen, ruim overtreffen.

De honingraatstructuur van grafeen

Bron: X-Bit labs

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*