[IDF2009] Meer info over 22 nm testchip

14 reacties

In de keynote van Paul Otellini eerder vandaag heeft Intel aangekondigd de eerste 22 nm testchips te hebben voltooid. In een aparte sessie heeft Mark Bohr, director of process architecture and integration, meer details bekend gemaakt over deze chips.

De geproduceerde testchip is een SRAM-chip. SRAM-geheugen wordt in normale processors ondermeer gebruikt als cache-geheugen. Het is gebruikelijk dat Intel een nieuw productieprocedé in eerste instantie uitprobeert met relatief simpele SRAM-chips en later experimenteert met complexere ontwerpen. De geproduceerde chip bevat 364 Megabit geheugen (45,5 Megabyte) en bevat meer dan 2,9 miljard transistors. De chip gebruikt dezelfde soort transistors en verbindingstechnieken zoals men in de toekomst ook bij 22 nm processors zal gebruiken. De testwafers maken gebruik van derde generatie high-k metal gate transistors. Deze technologie, die zorgt voor zeer lage energielekken, werd door Intel voor het eerst bij de 45 nm transistors ingezet. Om haar concurrenten niet slimmer te maken dan ze al zijn, wil Intel niet vertellen wat men exact aan haar productieproces heeft aangepast om 22 nm mogelijk te maken.

De eerste 22 nm processors worden volgens de tick-tock strategie eind 2011 in massaproductie genomen. Intel heeft er aangezien men nu al succesvol de eerste chips heeft geproduceerd, alle vertrouwen in dat deze deadline gehaald gaat worden.


De 22 nm testwafer zoals getoond tijdens de keynote.


Meer informatie over de geproduceerde 22nm chip.

« Vorig bericht Volgend bericht »
0
*